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方案选用陶瓷气体放电管GDT在变压器前端做共模（八线）浪涌防护；网络变压器后级用体积小，低结电容的TVS1-TVS4吸收差模能量，该ESD静电保护二极管反应时间快，兼顾防护静电功能；前端电源通过电感L1~L4传输，在电感间的残压通过TVS5来吸收；此POE端口方案符合802.11电气标准；此POE端口方案满足IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌测试标准； 此POE端口方案满足IEC61000-4-2、GBT17626.2等静电测试标准；
100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案有很多，接下来要分享的是TVS瞬态电压抑制二极管5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA和ESD静电保护二极管DW03DLC-B在100M百兆POE接口防护方案中的应用，具体方案图如下：
从LVDS接口静电和电磁干扰防护设计方案图可知，电路保护器件选用了TVS二极管阵列DWCM5412P（DFN26135-10L封装）和DW05-2R2P（DFN26135-10L封装）为LVDS接口保驾护航。此方案符合IEC61000-4-2 Contact：8KV；Air：15KV。想了解更多有关LVDS接口ESD和EMI保护，可与东沃电子工程师沟通交流。
从SD卡端口静电保护方案图中可以看出，电路保护器件选用了超低结电容ESD静电保护二极管DW05DTF-B，封装DFN1006-2L，结电容0.5pF；DW3.3-5RVP，封装DFN1616-6L，结电容0.6pF；低漏电流，响应速率快，封装体积小，节约PCB空间。此方案满足ESD IEC 61000-4-2 Level4 Contact Discharge：8KV，Air Discharge：15KV。
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